Модули памяти G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Совместимость | для Apple |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Отзывы о товаре G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB |
| Добавить отзыв |
