Модули памяти G.SKILL 10S-8GSQ
Галерея ( 1 ) Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
G.SKILL 10S-8GSQ
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.5 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 8 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 10 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 10 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 10 |
| Отзывы о товаре G.SKILL 10S-8GSQ |
| Добавить отзыв |
