Модули памяти Corsair 3M2B1866C10
![]() Галерея ( 1 ) Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
Corsair 3M2B1866C10
|
Дополнительно
Напряжение питания | 1.35 В |
Общие характеристики
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Объем | 2 модуля по 8 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Пропускная способность | 15000 Мб/с |
Тактовая частота | 1866 МГц |
Тип памяти | DDR3L |
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 30 |
CAS Latency (CL) | 10 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 10 |
Отзывы о товаре Corsair 3M2B1866C10 |
Добавить отзыв |