Модули памяти AENEON AET660SD00-25D
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
AENEON AET660SD00-25D
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.8 В |
Общие характеристики
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Отзывы о товаре AENEON AET660SD00-25D |
| Добавить отзыв |
