Модули памяти A-DATA AX2S800PB1G4-1P
Сравнить |
Уведомить о появлении в продаже
A-DATA AX2S800PB1G4-1P
|
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.75 В |
| Радиатор |
|
| Дополнительная информация | напряжение питания 1.75В-1.85В |
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC |
|
| Буферизованная (Registered) |
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
|
Тайминги
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 12 |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Отзывы о товаре A-DATA AX2S800PB1G4-1P |
| Добавить отзыв |
